style="width:5.35342in;height:5.1535in" /> 本文是学习GB-T 16596-2019 确定晶片坐标系规范. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。
本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗
粒等测试结果的准确位置。
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GB/T 16595 晶片通用网格规范
GB/T 34479 硅片字母数字标志规范
YS/T 986 晶片正面系列字母数字标志规范
SEMI E5 半 导 体 设 备 通 信 标 准 2 报 文 内 容 (SECS- Ⅱ) 的 规 范
[Specification for SEMI
equipment communications standard 2 message content(SECS-Ⅱ)]
SEMI M1 硅单晶抛光片规范(Specification for polished single crystal
silicon wafers)
本标准中的晶片坐标系利用晶片中心点作为直角坐标系(X-Y) 或极坐标系(r-
θ)的原点，可确定晶
片上任意点的坐标。对于无图形晶片，可直接使用本晶片坐标系，也可与矩形阵列或极坐标重叠阵列一
起使用。本晶片坐标系也可用于确定另一坐标系的原点或其他基准点的位置，而这另一坐标系则常表
示或记录了晶片上的局部区域、芯片或图形阵列的位置特征。
将晶片正表面向上放置，确定晶片中心点位置。建立右手直角坐标系。主定位基准位于Y
轴负方
向。根据应用选择直角坐标系或极坐标系(参考 X 轴正向)。
围绕主定位基准的平分线(Y 轴)转动晶片，直至晶片背表面朝上。除了X
轴的方向与正面坐标系
相反，背面坐标系的其他内容与正面坐标系相同。
由于Z 轴的零点需要根据应用来确定，本标准仅定义出 Z
轴方向和各种可能的零点位置。
GB/T 16596—2019
4.1.1 将晶片正表面向上放置。
4.1.2
找出晶片表面的中心点。假定忽略了参考面和边缘不规则区域的晶片外边缘是晶片的最小圆，
该圆的圆心即为晶片中心点。
4.1.3 右手直角坐标系按下列步骤确定：
a) 以晶片中心点为坐标原点；
b) 坐标系的Y
轴在晶片正表面的直径上，该直径平分主定位基准(参考面或切口);
c) 坐标系的X 轴在晶片正表面的直径上，且与主定位基准的平分线(Y
轴)垂直。
4.1.4 以坐标系原点为参照，主定位基准在Y 轴负方向，见图1。
4.1.5 如果使用极坐标系，X
轴正方向的θ坐标是0°,主定位基准平分线向上延伸的θ坐标是90°,X
轴负方向的θ坐标是180°,主定位基准平分线的向下延伸的θ坐标是270°。 r
和θ的方向见图1。
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图 1 晶片正面坐标系
4.2.1 转动晶片，使晶片背表面向上。
4.2.2 主定位基准位于Y 轴负方向，X
轴正方向向左。这样，晶片背表面点的x-y(r- θ) 坐标与直接
通过晶片正表面点的坐标完全相同。
4.3.2 Z 轴穿过晶片表面中心点且与晶片表面垂直，晶片的正表面位于Z
轴正方向，见图2。
4.3.3 不同应用情况下，Z 轴零点的规定不同，例如：
a) 测量晶片的翘曲度，Z 轴零点可能在晶片的三维几何中心；
b) 测量正表面的平整度， Z
轴零点通常随基准面而定，基准面的选择按照特定的平整度参数 确定；
c) 测量厚度或厚度变化，Z 轴零点可能在晶片背表面中心点。
GB/T 16596—2019
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图 2 三维坐标系Z 轴的方向指示
5.1 本晶片坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。
5.2 光刻的掩膜校准规则可与本晶片坐标系不一致。
5.3
硅片的副参考面位置由主参考面沿顺时针方向旋转而确定，其与晶片坐标系的极角坐标规则相反。
5.4 在 SEMIM1
中，用边缘轮廓模板建立的边缘参考坐标系用于边缘的参照，其与本晶片坐标系不
同。边缘轮廓模板和边缘轮廓参数使用不同的坐标系，具体如下：
a) 边缘轮廓模板用 X 轴的径向方向(从晶片边缘向内)和Y
轴的垂直方向(从晶片表面向晶片中 位面)定义模板；
b) 边缘轮廓参数用q 轴的径向方向(从晶片边缘向内)和Z
轴的垂直方向(从晶片中位面向晶片 表面)定义边缘轮廓的横截面。
5.5 在 SEMIE5
中，晶片的标准位置类似于其在晶片坐标系的位置，即主定位基准向下，它的平分线
在 Y
轴负方向上，而晶片的旋转位置是从该标准位置向顺时针方向旋转来定义，这与晶片坐标系的极
角坐标规则相反。在SEMIE5
中，不旋转坐标系的轴，晶片相对于轴旋转。而在晶片坐标系中，坐标轴
由晶片本身定位，不受晶片实际空间位置的限制。
5.6 在 GB/T 34479 和 YS/T986 中，对于直径100 mm、125 mm 和150 mm
带参考面的晶片，它的字
符字段的位置是参照参考面而不是参照晶片中心点来规定，字符字段的位置相对于晶片中心点是变化
的，字符字段顶角处位置的坐标(在晶片坐标系中)可以因晶片而不同；而直径150
mm、200 mm 和
300 mm 带切口的晶片字符字段位置是参照晶片中心点来定位。
5.7 在某些情况下，无图形的晶片表面不易区分正面和背面。
5.8 SEMIE5 在"流12—
晶片图像"中，描述了一个坐标系是如何报告待传输的位置数据。另外，坐标
系的原点既可以是在生成晶片图像时由设备指定，也可以是位于阵列中的五个位置之一
(即左上角、左
下角、右上角、右下角或中心)。该"流"保证晶片图像坐标系与实际晶片相对应的基准点的任一数据的
传输，而本晶片坐标系可用于确定基准点和晶片图像坐标系原点的位置。
注：流是程序输入或输出的一个连续的字节序列。
5.9 GB/T
16595规定了含有1000个单元的极坐标阵列，可用于标记晶片上分布的缺陷(例如滑移)
的位置。该阵列与晶片坐标系一致。
5.10
本标准中的晶片坐标系对晶片的直径没有特殊规定，但对于自动设备，可能只接收标称直径的晶片。
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